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                  技術優勢

                  TTMOS器件結構及原理介紹

                  尚陽通TTMOS(Tri-Trench MOSFET)系列產品采用了具有降低表面電場(Reduced Surface) 原理的屏蔽柵/分立柵MOSFET技術(Shield/Split Gate Trench MOSFET),TTMOS器件第一個深溝槽(Deep Trench)作為“體內場板”在反向電壓下平衡漂移區電荷,這樣可以降低漂移區的電阻率,從而降低器件的比導通電阻(RSP)和柵極電荷(Qg)。第二個源極溝槽(Source Trench)作為有源區接觸電極,該設計能減小原胞尺寸(Pitch Size)和改善器件比導通電阻,有利于提高器件高溫、大電流能力及EAS能力。第三個柵極溝槽(Gate Trench)作為有柵極接觸電極,該設計能優化器件TTMOS工藝流程,降低產品生產成本,同時提高產品良率。



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                  圖1  TTMOS(Tri-Trench MOSFET)基本結構


                  TTMOS先進器件結構及制造工藝技術

                  TTMOS系列產品是尚陽通推出的新型功率半導體器件,產品額定電壓范圍80~200V。產品采用先進的器件結構和制造工藝,以達到MOSFET應用的兩個基本目標:

                  (1) 單位面積低的導通電阻以減小靜態功率損耗;

                  (2) 高的開關速度以減小瞬態功率損耗。

                  尚陽通TTMOS系列產品,采用公司自主知識產權的器件結構和先進制造工藝,使得產品具有較高的技術優勢和成本優勢。尚陽通TTMOS器件結構及先進制造工藝優勢有:

                  (1) 具有國際競爭力的比導通電阻(圖2);

                  (2) 尚陽通TTMOS具有業內最精簡的制造工藝流程;

                  (3) 采用公司特有技術實現高雪崩耐量及高可靠性(圖3);


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                  圖2 100V TTMOS(Tri-Trench MOSFET)工藝技術水平

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                  圖3 100V TTMOS(Tri-Trench MOSFET)降低峰值電場設計


                  TTMOS應用優勢

                  TTMOS系列產品技術指標特點及優勢:

                  (1) 低的Rdson;

                  (2) 低的Qg和Qgd;

                  (3) 低的FOM值 (Rdson*Qg);

                  (4) 優異的快恢復體二極管;

                  (5) 高的抗雪崩耐量;

                  (6) 優良的EMI表現(圖5)。

                  TTMOS對中低壓功率MOSFET的制造流程進行了多項優化設計,使器件外延濃度分布、器件結構、柵極電阻、版圖設計等更適合于外部電路的高速開關動作,減小了電路紋波噪音和尖峰,得到的開關波形更加平滑,柵極震蕩更低,有利于EMI的改善。


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                  圖4 TTMOS與競爭樣品開關過程比較


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                  圖5 TTMOS優良的EMI性能


                  深圳尚陽通科技是一家專注功率器件的半導體設計公司,是深圳市高新技術企業,國家高新技術企業,中國半導體協會成員之一。
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